専攻科生が電子情報通信学会東海支部卒業研究発表会で優秀卒研発表賞を受賞

2012年03月12日

3月8日（木）に、岐阜大学で開催された「平成23年度電子情報通信学会東海支部卒業研究発表会」において、鈴鹿高専専攻科2年生伊藤駿さん（電気電子工学科・辻研究室）が、ポスター発表部門において「CS-MBE法によるサファイア(0001)基板上へのGaN薄膜の形成」と題して発表し、優秀卒研発表賞を受賞しました。

電子情報通信学会東海支部が主催する同発表会は、研究を始めて間もない学生に発表の機会を設けると共に議論・交流の場を提供することを目的に、東海地区の大学、高等専門学校における電気・電子・情報分野の卒業予定者を対象として催されています。

窒化ガリウム(GaN)は、電子速度と絶縁破壊電界が大きいことから、次世代のパワーデバイス・高速デバイスへの応用が期待されている物質。そこで伊藤さんの研究では、分子線エピタキシー(CS-MBE)法を用いてGaN薄膜の形成を試みました。
その結果、基板温度400℃で形成することでアモルファスGaN層が形成できました。一方、基板温度600℃で形成を試みた場合も、薄膜の形成が確認されました。同発表会には、東海地区の国立及び私立の大学、高専から多くの学生が参加しており、大変価値のある受賞となりました。